|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP
- BLC9G21LS-60AVY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G21LS-60AVY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.2 GHz
|
60 W
|
|
+ 225 C
|
17.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP
- BLC9G21LS-60AVZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G21LS-60AVZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.2 GHz
|
60 W
|
|
+ 225 C
|
17.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/REELDP
- BLC9G22LS-160VTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G22LS-160VTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1271-2-5
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.2 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/TRAYDP
- BLC9G22LS-160VTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G22LS-160VTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1271-2-5
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.2 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP
- BLC9H10XS-500AY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-500AY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
617 MHz to 960 MHz
|
500 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
18.9 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP
- BLC9H10XS-500AZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-500AZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
617 MHz to 960 MHz
|
500 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
18.9 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP
- BLC9H10XS-505AY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-505AY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
617 MHz to 960 MHz
|
500 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18.2 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP
- BLC9H10XS-505AYZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-505AYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
617 MHz to 960 MHz
|
500 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18.2 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/TRAYDP
- BLC9H10XS-505AZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-505AZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
617 MHz to 960 MHz
|
500 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18.2 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-600A/SOT993/REELDP
- BLC9H10XS-600AY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-600AY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-600A/SOT993/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-2-5
|
|
LDMOS
|
616 MHz to 960 MHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
17.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-600A/SOT993/TRAYDP
- BLC9H10XS-600AZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-600AZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-600A/SOT993/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-2-5
|
|
LDMOS
|
616 MHz to 960 MHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
17.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
- BLC9H10XS-606AY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-606AY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-4-5
|
|
LDMOS
|
616 MHz to 960 MHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
- BLC9H10XS-606AYZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-606AYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-4-5
|
|
LDMOS
|
616 MHz to 960 MHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
- BLC9H10XS-606AZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-606AZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-4-5
|
|
LDMOS
|
616 MHz to 960 MHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/REELDP
- BLC9H10XS-60PY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-60PY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
400 MHz to 1 GHz
|
60 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.3 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
- BLC9H10XS-60PZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-60PZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
|
LDMOS
|
400 MHz to 1 GHz
|
60 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.3 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
- BLF0910H9LS600J
- Ampleon
-
100:
$126.00
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS600J
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
915 MHz
|
600 W
|
|
+ 225 C
|
18.6 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
- BLF0910H9LS600U
- Ampleon
-
1:
$158.10
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS600U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
915 MHz
|
600 W
|
|
+ 225 C
|
18.6 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
- BLF0910H9LS750PJ
- Ampleon
-
100:
$179.28
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS750PJ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT539B-5
|
|
LDMOS
|
915 MHz
|
750 W
|
|
+ 225 C
|
21.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
- BLF0910H9LS750PU
- Ampleon
-
60:
$179.28
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS750PU
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
915 MHz
|
600 W
|
|
+ 225 C
|
21.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
- BLF13H9LS750PU
- Ampleon
-
60:
$204.55
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF13H9LS750PU
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT539B-5
|
|
LDMOS
|
1.3 GHz
|
750 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
- BLF2425M9L30J
- Ampleon
-
100:
$140.04
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9L30J
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
SOT1135A-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
18.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
- BLF2425M9L30U
- Ampleon
-
60:
$140.05
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9L30U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
SOT1135A-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
18.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
- BLF2425M9LS140J
- Ampleon
-
100:
$103.92
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9LS140J
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
- BLF2425M9LS140U
- Ampleon
-
60:
$104.11
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9LS140U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
