|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD
- BLC10G19XS-600AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS600AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 1.995 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G19XS-601AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS601AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 1.995 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD
- BLC10G19XS-601AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS601AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 1.995 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G22XS-301AVTYZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22X301AVTYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
2.1 GHz to 2.17 GHz
|
300 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G22XS-301AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS301AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
2.1 GHz to 2.17 GHz
|
300 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY
- BLC10G22XS-301AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS301AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
2.1 GHz to 2.17 GHz
|
300 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G22XS-400AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS400AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.2 GHz
|
400 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.3 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G22XS-401AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS401AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.2 GHz
|
400 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G22XS-551AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS551AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.1 GHz to 2.2 GHz
|
550 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G22XS-551AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS551AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.1 GHz to 2.2 GHz
|
550 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G22XS-570AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS570AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.18 GHz
|
570 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.7 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP
- BLC10G22XS-600AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS600AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
- BLC10G22XS-600AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS600AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G22XS-602AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS602AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.4 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G22XS-602AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS602AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G22XS-603AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS603AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.4 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD
- BLC10G22XS-603AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS603AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD
- BLC10G27LS-320AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27LS320AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-1-7
|
|
LDMOS
|
2.5 GHz to 2.7 GHz
|
320 W
|
|
+ 225 C
|
15.4 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD
- BLC10G27LS-320AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27LS320AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-1-7
|
|
LDMOS
|
2.5 GHz to 2.7 GHz
|
320 W
|
|
+ 225 C
|
15.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
- BLC10G27XS-400AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27XS400AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.496 GHz to 2.69 GHz
|
400 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
13.3 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G27XS-551AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27XS551AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
550 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
13 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
- BLC2425M10LS250Z
- Ampleon
-
1:
$117.85
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Z
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1270-1-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
250 W
|
|
+ 225 C
|
14.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
- BLC2425M10LS500PY
- Ampleon
-
100:
$181.07
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS500PY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-1-5
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
500 W
|
|
+ 225 C
|
14.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans
- BLC8G21LS-160AVY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC8G21LS-160AVY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.025 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans
- BLC8G21LS-160AVZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC8G21LS-160AVZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.025 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
