|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
- BLA9H0912L-700U
- Ampleon
-
60:
$363.83
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-700U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
|
LDMOS
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
20 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
- BLA9H0912LS-1200PGJ
- Ampleon
-
100:
$542.35
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L1200PGJ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1248C-5
|
|
LDMOS
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
1.2 kW
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
- BLA9H0912LS-250U
- Ampleon
-
60:
$244.08
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-250U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
250 W
|
|
+ 225 C
|
22 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
- BLA9H0912LS-700U
- Ampleon
-
60:
$363.83
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-700U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
20 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
- BLA9H0912LS-1200PU
- Ampleon
-
60:
$474.55
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS1200PU
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT539B-5
|
|
LDMOS
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
1.2 kW
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G15XS-301AVTYZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G15X301AVTYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.452 GHz to 1.492 GHz
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G15XS-301AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G15XS301AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.025 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
- BLC10G15XS-301AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G15XS301AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.452 GHz to 1.492 GHz
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP
- BLC10G16XS-600AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G16XS600AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.427 GHz to 1.518 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
17.4 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
- BLC10G16XS-600AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G16XS600AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.427 GHz to 1.518 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
17.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
- BLC10G18XS-301AVTYZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18X301AVTYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
300 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15.6 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
- BLC10G18XS-301AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS301AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
300 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15.6 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD
- BLC10G18XS-301AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS301AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
300 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15.6 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD
- BLC10G18XS-360AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS360AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
360 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.4 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD
- BLC10G18XS-360AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS360AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
360 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
- BLC10G18XS-400AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS400AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
400 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15.7 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G18XS-551AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS551AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
550 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.1 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G18XS-552AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS552AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
550 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.1 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G18XS-552AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS552AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
550 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16.1 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP
- BLC10G18XS-602AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS602AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP
- BLC10G18XS-602AVTZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G18XS602AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
16 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP
- BLC10G19XS-551AVY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS-551AVY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-5-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 2 GHz
|
160 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD
- BLC10G19XS-551AVZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS-551AVZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-5-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 2 GHz
|
160 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL
- BLC10G19XS-551AVYZ
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS551AVYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-5-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 2 GHz
|
160 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD
- BLC10G19XS-600AVTY
- Ampleon
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G19XS600AVTY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD
|
|
No en existencias
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.93 GHz to 1.995 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
