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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: $13.74
1,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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Hoja de datos

1,894En existencias

$13.74

$10.16

$8.77

$8.31

$7.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

295 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

SIR5607DP-T1-UE3
Vishay / Siliconix
1: $4.41
3,381En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR5607DP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5607DP-T1-UE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

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3,381En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

$4.41

$2.72

$2.38

$2.22

Envase tipo carrete

$1.59

$1.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

60 V

90.9 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: $1.85
29,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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Hoja de datos

29,520En existencias

Cinta cortada

$1.85

$1.18

$0.69

Envase tipo carrete

$0.69

$0.595

$0.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L025ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.49
45,447En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

45,447En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

$1.49

$0.941

$0.626

$0.491

Ver

Envase tipo carrete

$0.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.93
14,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

14,550En existencias

Cinta cortada

$3.93

$2.58

$1.81

$1.62

Envase tipo carrete

$1.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: $3.09
13,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,664En existencias

Cinta cortada

$3.09

$2.00

$1.47

$1.24

$1.10

Envase tipo carrete

$1.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.21
50,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos

50,331En existencias

Cinta cortada

$2.21

$1.60

$1.26

$1.13

Envase tipo carrete

$1.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.43
36,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

36,717En existencias

Cinta cortada

$2.43

$1.57

$1.07

$0.856

$0.841

Envase tipo carrete

$0.786

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
1: $1.68
52,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPD18P06PGBTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

Hoja de datos

52,448En existencias

Cinta cortada

$1.68

$1.07

$0.713

$0.562

$0.514

Envase tipo carrete

$0.473

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

18.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

NVGS5120PT1G
onsemi
1: $1.39
198,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVGS5120PT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVGS5120PT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

Hoja de datos

198,075En existencias

Cinta cortada

$1.39

$0.869

$0.576

$0.453

$0.41

Envase tipo carrete

$0.362

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.46
1,693En existencias
1,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,693En existencias

1,800En pedido

Cinta cortada

$3.46

$2.26

$1.58

$1.37

$1.28

Envase tipo carrete

$1.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD13N10LTM
onsemi
1: $1.11
228,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD13N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD13N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

228,806En existencias

Cinta cortada

$1.11

$0.696

$0.457

$0.354

Envase tipo carrete

$0.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: $2.44
32,428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

32,428En existencias

Cinta cortada

$2.44

$1.39

$1.12

$0.861

$0.804

Envase tipo carrete

$0.791

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC009N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.42
9,753En existencias
4,990En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

9,753En existencias

4,990En pedido

Cinta cortada

$5.42

$3.61

$2.59

$2.50

$2.41

Envase tipo carrete

$2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

348 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC

IRFH5300TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.93
29,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH5300TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH5300TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC

Hoja de datos

29,485En existencias

Cinta cortada

$1.93

$1.24

$0.832

$0.66

Ver

Envase tipo carrete

$0.575

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1: $3.23
130En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N011GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

Obtenga más información

Hoja de datos

130En existencias

Cinta cortada

$3.23

$2.10

$1.54

$1.29

$1.20

Envase tipo carrete

$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

NTMFS4C324NT1G
onsemi
1: $1.05
1,448En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C324NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C324NT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

Hoja de datos

1,448En existencias

Cinta cortada

$1.05

$0.655

$0.427

$0.329

$0.297

Envase tipo carrete

$0.245

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

136 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20.8 nC

- 55 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NTTFS002N04CLTAG-SR01
onsemi
1: $2.14
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS002N04CLTAG-SR01

N.º de artículo de Mouser
863-S002N04CLTAGSR01

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

1,500En existencias

Cinta cortada

$2.14

$2.05

$1.42

$1.21

$0.67

Envase tipo carrete

$0.637

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: $1.59
46,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

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Hoja de datos

46,759En existencias

Cinta cortada

$1.59

$1.01

$0.674

$0.53

Ver

Envase tipo carrete

$0.439

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87330Q3D
Texas Instruments
1: $1.46
50,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87330Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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Hoja de datos

50,441En existencias

Cinta cortada

$1.46

$0.965

$0.805

$0.736

Envase tipo carrete

$0.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

- 8 V, 10 V

1 V, 750 mV

4.8 nC, 9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

DMG1013T-7
Diodes Incorporated
1: $0.25
1,537,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1013T-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013T-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

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Hoja de datos

1,537,332En existencias

Cinta cortada

$0.25

$0.143

$0.096

$0.07

Envase tipo carrete

$0.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-523-3

P-Channel

1 Channel

20 V

460 mA

1 Ohms

- 6 V, 6 V

1 V

622.4 pC

- 55 C

+ 150 C

270 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

TN5335K1-G
Microchip Technology
1: $0.92
27,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN5335K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN5335K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

350 V

110 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC052N08NS5ATMA1

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726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7617DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7617DN-T1-GE3

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781-SI7617DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

12.3 mOhms

- 25 V, 25 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XTSA1

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726-BSS314PEH6327XTS

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms
550 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ