Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
Hoja de datos
1,224En existencias
1,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
Hoja de datos
27,081En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 40,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
415En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 80 mOhms 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
206En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
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370En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
349En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 52 mOhms 20 V 5 V 141 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
205En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Hoja de datos
288En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
Vishay Semiconductors SI2399BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2,582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SISS4304DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2,836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SI2319DDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2,214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2393DS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2,518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2392BDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 2,867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI3425DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2,940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SIRA18DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2,940En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SI1425DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2,946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SIHG050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SIRA14DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2,300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SIB5215DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SIRA12DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2,698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos
1,927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube