IFND89 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -15V Low Ciss
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 750
Mult.: 50

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 3.3 V - 15 V - 900 mV 1 mA 1 uA 3 kOhms 250 mW IFND89 Bulk
InterFET IFD89SC5
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -15V Low Ciss
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,250
Mult.: 50

IFND89 Bulk