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IFD89T72

Name: InterFET IFD89T72
Brand: InterFET
SKU: 106-IFND89
Price: 12.21 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

106-IFND89

Fabricante N.º:

IFD89T72

Fabricante:

InterFET

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -15V Low Ciss

Hoja de datos:

IFD89T72 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	InterFET
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-72-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	3.3 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 15 V
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 900 mV
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	1 mA
Id - Corriente de drenaje continua:	1 uA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 kOhms
Dp - Disipación de potencia :	250 mW
Serie:	IFND89
Empaquetado:	Bulk
Marca:	InterFET
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Transconductancia hacia delante - Mín.:	600 uS
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	20 mg

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Hoja de datos

IFD89T72 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

IFND89 N-Channel JFET

InterFET IFND89 N-Channel JFET offers low noise and high gain with integrated back-to-back diodes on the gate. It is packaged in either an SC70-5 or TO-72 package and is well suited to applications requiring high gain, low noise, and low pinch-off voltage (less than 0.9 volts). It provides over-voltage protection by clipping transient spikes, and the low current/low voltage capability makes the IFND89 ideal for battery operation.