|
|
MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263
- UJ4SC075018B7S
- onsemi
-
1:
$21.26
-
1,207En existencias
-
800En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018B7S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263
|
|
1,207En existencias
800En pedido
|
|
|
$21.26
|
|
|
$15.29
|
|
|
$14.96
|
|
|
$14.87
|
|
|
$14.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
D2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1501
- Microchip Technology
-
1:
$325.53
-
60En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
ARF1501
N.º de artículo de Mouser
494-ARF1501
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
|
|
60En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 18V 2.5Ohm
- TN2501N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.63
-
1,752En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN2501N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 18V 2.5Ohm
|
|
1,752En existencias
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
- C3M0350120D
- Wolfspeed
-
1:
$5.98
-
3,481En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C3M0350120D
|
Wolfspeed
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
|
|
3,481En existencias
|
|
|
$5.98
|
|
|
$3.39
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$23.06
-
240En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
240En existencias
|
|
|
$23.06
|
|
|
$18.87
|
|
|
$16.67
|
|
|
$15.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
- UJ4C075018K4S
- onsemi
-
1:
$21.89
-
638En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K4S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
|
|
638En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
- CGH55015F2
- MACOM
-
1:
$147.87
-
81En existencias
-
100En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH55015F2
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
|
|
81En existencias
100En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015-E
- STMicroelectronics
-
1:
$22.79
-
165En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
165En existencias
|
|
|
$22.79
|
|
|
$16.46
|
|
|
$15.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 18 Ohm TO-247
- APT5018BLLG
- Microchip Technology
-
1:
$10.25
-
42En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5018BLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 18 Ohm TO-247
|
|
42En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
- RN2501(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.33
-
2,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-RN2501TE85LF
|
Toshiba
|
Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
|
|
2,383En existencias
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.243
|
|
|
$0.138
|
|
|
$0.093
|
|
|
$0.064
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.073
|
|
|
$0.055
|
|
|
$0.051
|
|
|
$0.045
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
Digital Transistors
|
|
SMD/SMT
|
SMV-5
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
- DMN5010VAK-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.50
-
4,585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMN5010VAK-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
|
|
4,585En existencias
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.197
|
|
|
$0.145
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.116
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-563-6
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
- PD55015TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$21.75
-
575En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
|
|
575En existencias
|
|
|
$21.75
|
|
|
$16.32
|
|
|
$15.25
|
|
|
$14.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-247 MAX
- APT5010B2VRG
- Microchip Technology
-
1:
$18.41
-
27En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5010B2VRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-247 MAX
|
|
27En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
- 2ST501T
- STMicroelectronics
-
1:
$2.17
-
1,936En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
2ST501T
N.º de artículo de Mouser
511-2ST501T
|
STMicroelectronics
|
Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
|
|
1,936En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.789
|
|
|
$0.683
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.625
|
|
|
$0.586
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Darlington Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET MOSFET MOS7 500 V 10 Ohm SOT-227
Microchip Technology APT5010JLL
- APT5010JLL
- Microchip Technology
-
1:
$37.42
-
9En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5010JLL
|
Microchip Technology
|
Módulos MOSFET MOSFET MOS7 500 V 10 Ohm SOT-227
|
|
9En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) RH Small-Signal BJT
Microchip Technology MSR2N3501UB
- MSR2N3501UB
- Microchip Technology
-
1:
$103.78
-
63En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-MSR2N3501UB
|
Microchip Technology
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) RH Small-Signal BJT
|
|
63En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-5-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-247
Microchip Technology APT5017BVFRG
- APT5017BVFRG
- Microchip Technology
-
1:
$13.05
-
23En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5017BVFRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-247
|
|
23En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 500V 16A
- R5016FNJTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$4.86
-
948En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-R5016FNJTL
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 500V 16A
|
|
948En existencias
|
|
|
$4.86
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.28
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-3
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
$4.76
-
2,113En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
499-GS-065-011-1-LTR
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,113En existencias
|
|
|
$4.76
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.37
|
|
|
$2.20
|
|
|
$2.13
|
|
|
$2.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
- UJ4SC075018L8S
- onsemi
-
1:
$20.24
-
1,475En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018L8S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
|
|
1,475En existencias
|
|
|
$20.24
|
|
|
$14.51
|
|
|
$14.05
|
|
|
$14.04
|
|
|
$13.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
MO-229-8
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-2-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
$6.39
-
3,101En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
499-GS-065-011-2-LTR
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
3,101En existencias
|
|
|
$6.39
|
|
|
$4.19
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.74
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- AG501EGD3HRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.45
-
2,400En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-AG501EGD3HRBTL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,400En existencias
|
|
|
$3.45
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
P-Channel
|
|
|
|
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-MR
- Infineon Technologies
-
1:
$5.17
-
2,677En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
499-GS-065-011-1-L
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,677En existencias
|
|
|
$5.17
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.41
|
|
|
$2.41
|
|
|
$2.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.18
|
|
|
$2.16
|
|
|
$2.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263
- UJ4SC075011B7S
- onsemi
-
1:
$27.65
-
322En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075011B7S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263
|
|
322En existencias
|
|
|
$27.65
|
|
|
$21.85
|
|
|
$20.44
|
|
|
$19.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
D2PAK-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
- FDN86501LZ
- onsemi
-
1:
$2.81
-
28,074En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDN86501LZ
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
|
|
28,074En existencias
|
|
|
$2.81
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.968
|
|
|
$0.958
|
|
|
$0.958
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SSOT-3
|
N-Channel
|
|