501 MOSFETs de SiC

Resultados: 18
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263 1,207En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial 3,481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 638En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 1,475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263 322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247 536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial 117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 750V/10MOSICFETG4TOLL 2,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5,600
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.7 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7 T&R, Industrial No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 350 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23.4 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC UJ4SC075010L8S No en existencias

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
WeEn Semiconductors WNSC2M150120B7-A6J
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5,600
Mult.: 800
: 800

WeEn Semiconductors WNSC2M150120R-A6Q
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

WeEn Semiconductors WNSC2M150120W-A6Q
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

WeEn Semiconductors WNSC2M150120TB6J
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600