2400 Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K 5,504En existencias
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT X2-DFN1006-3 N-Channel
Infineon Technologies FZ2400R17HP4
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1700V 2400A 2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si


Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I 2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 2400 A dual IGBT module 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies FF2400R12IP7PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 2400 A dual IGBT module 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount PrimePACK 3+
Infineon Technologies FZ2400R33HE4BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 3300 V, 2400 A single switch IGBT module 2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N P Ch 20VDSS 0.45W Low RDSon 10,953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,020
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K 3,389En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,140
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 339En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,340
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE HIGH VOLTAGE X-SERIES IHM 6En existencias
6En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount 140 mm x 190 mm
Infineon Technologies FZ2400R17HP4_B9
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1700V 2400A 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel
Infineon Technologies FZ2400R17HP4_B29
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1700V 2400A
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4 93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A fourpack IGBT module 52En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4 167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 2400 A single switch IGBT module Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3
Mult.: 3

IGBT Modules Si
IXYS IGBTs Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 6
Mult.: 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 2400 A single switch IGBT module Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3
Mult.: 3

IGBT Transistors
Diodes Incorporated DMC2400UVQ-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT563 T&R 3K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies FZ2400R12HP4
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1200V 2400A Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies FZ2400R17HE4_B9
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1700V 2400A Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Diodes Incorporated DMC2400UVQ-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT563 T&R 10K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies FZ2400R12HP4_B9
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1200V 2400A Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si