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2400 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

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Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K

DMN2400UFB4-7
Diodes Incorporated
1: $0.35
5,502En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2400UFB4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2400UFB4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K

Hoja de datos

5,502En existencias

9,000En pedido

Cinta cortada

$0.35

$0.214

$0.134

$0.099

$0.077

Envase tipo carrete

$0.066

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

X2-DFN1006-3

N-Channel

1 Channel

20 V

750 mA

550 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

500 pC

- 55 C

+ 150 C

470 uW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N P Ch 20VDSS 0.45W Low RDSon

DMC2400UV-7
Diodes Incorporated
1: $0.35
10,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC2400UV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2400UV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N P Ch 20VDSS 0.45W Low RDSon

Hoja de datos

10,950En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$0.35

$0.214

$0.135

$0.103

$0.093

Envase tipo carrete

$0.076

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,200

: 3,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

700 mA, 1.03 A

480 mOhms, 970 mOhms

- 5 V, 5 V

500 mV

70 pC, 850 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL

DMN2400UV-7
Diodes Incorporated
1: $0.57
339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2400UV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2400UV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL

Hoja de datos

339En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$0.57

$0.368

$0.233

$0.161

$0.135

Envase tipo carrete

$0.135

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,340

: 3,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.33 A

480 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

500 pC

- 55 C

+ 150 C

530 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K

DMN2400UFB-7
Diodes Incorporated
1: $0.32
3,389En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2400UFB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2400UFB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K

Hoja de datos

3,389En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

$0.32

$0.187

$0.121

$0.091

$0.081

Envase tipo carrete

$0.065

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,140

: 3,000

SMD/SMT

X1-DFN1006-3

N-Channel

1 Channel

20 V

750 mA

550 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

500 pC

- 55 C

+ 150 C

470 uW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF

DMC2400UV-13
Diodes Incorporated
1: $0.49

N.º de artículo del Fabricante
DMC2400UV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2400UV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

$0.49

$0.335

$0.212

$0.134

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Envase tipo carrete

$0.067

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

700 mA, 1.03 A

300 Ohms, 670 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

500 mV, 1 V

500 pC, 850 pC

- 55 C

+ 150 C

450 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: $23.44
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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Hoja de datos

93En existencias

$23.44

$17.50

$15.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $23.44
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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Hoja de datos

167En existencias

$23.44

$17.50

$15.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT563 T&R 3K

DMC2400UVQ-7
Diodes Incorporated
1: $0.54
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMC2400UVQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2400UVQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT563 T&R 3K

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

$0.54

$0.369

$0.234

$0.147

$0.129

Envase tipo carrete

$0.079

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT563 T&R 10K

DMC2400UVQ-13
Diodes Incorporated
1: $0.54
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMC2400UVQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2400UVQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT563 T&R 10K

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

$0.54

$0.369

$0.234

$0.147

Ver

Envase tipo carrete

$0.069

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: $12.39

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Hoja de datos

Más información disponible

$12.39

$9.70

$8.08

$6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OP524/UNCASED/NO MARK CHIPS ON

OP524,005
WeEn Semiconductors
42,200: $0.205
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
OP524,005

N.º de artículo de Mouser
771-OP524,005

WeEn Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OP524/UNCASED/NO MARK CHIPS ON

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

$0.205

Min.: 42,200
Mult.: 42,200

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $12.38
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

$12.38

$9.69

$8.07

$7.19

$6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

2400 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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