Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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200 W
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960 MHz to 1.215 GHz
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H-33288-2
Si
960 MHz to 1.215 GHz
450 W
+ 225 C
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Si
500 MHz to 1.4 GHz
25 W
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Screw Mount
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Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
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Screw Mount
H-36248-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
350 W
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-36248-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
350 W
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PTVA123501FC-V1-R0
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941-PTVA123501FC1R0
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-37248-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
350 W
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PTVA123501FC-V1-R250
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941-PTVA123501FC1R2
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-37248-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
350 W
17 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA127002EV-V1-R250
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941-PTVA127002EV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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250
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36275-4
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
700 W
+ 225 C
16 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC210552FC-V1-R0
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941-PXAC210552FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.805 GHz to 2.17 GHz
55 W
+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC210552FC-V1-R2
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.805 GHz to 2.17 GHz
55 W
+ 225 C
17.2 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R0
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37275G-6/2
Si
1.805 GHz to 1.88 GHz
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+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R2
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$164.33
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R2
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MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37275G-6/2
Si
1.805 GHz to 1.88 GHz
420 W
+ 225 C
16 dB
Reel