Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
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SMD/SMT
QFN-36
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49 dBm
+ 200 C
38 dB
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SMD/SMT
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3.3 GHz to 3.8 GHz
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Screw Mount
SOT502A-3
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1.03 GHz to 1.09 GHz
300 W
+ 225 C
19.5 dB
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BLA9G1011LS-300GU
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SMD/SMT
SOT502E-3
LDMOS
1.03 GHz to 1.09 GHz
300 W
+ 225 C
19.5 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
BLA9G1011LS-300U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT502B-3
LDMOS
1.03 GHz to 1.09 GHz
300 W
+ 225 C
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BLA9H0912L-250GU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
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SOT502F-3
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250 W
+ 225 C
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BLA9H0912L-250U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs
Screw Mount
SOT502A-3
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960 MHz to 1.215 GHz
250 W
+ 225 C
22 dB
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BLA9H0912L-700GU
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94-BLA9H0912L-700GU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs
Screw Mount
SOT502F-3
LDMOS
960 MHz to 1.215 GHz
700 W
+ 225 C
20 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
BLA9H0912L-700U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
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Min.: 60
Mult.: 60
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RF MOSFETs
Screw Mount
SOT502A-3
LDMOS
960 MHz to 1.215 GHz
700 W
+ 225 C
20 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
BLA9H0912LS-1200PGJ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
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BLA9H0912LS-250U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT502B-3
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960 MHz to 1.215 GHz
250 W
+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
BLA9H0912LS-700U
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N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-700U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT502B-3
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960 MHz to 1.215 GHz
700 W
+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
BLA9H0912LS-1200PU
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94-BLA9H0912LS1200PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
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Min.: 60
Mult.: 60
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT539B-5
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960 MHz to 1.215 GHz
1.2 kW
+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
BLC2425M10LS250Z
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT1270-1-3
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2.4 GHz to 2.5 GHz
250 W
+ 225 C
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