2941 Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
43En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray