Transistores

Transistores
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Resultados: 46,642
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE S-SERIES DUAL
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36En existencias
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IGBT Modules Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
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930En existencias
1,000En pedido
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3
Hoja de datos
4,463En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

THAT Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14
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312En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole DIP-14 NPN, PNP

onsemi Transistores digitales SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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14,840En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Bipolar Transistors Silicn NPN Epitaxial
Hoja de datos
6,406En existencias
550En pedido
Min.: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified
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3,254En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
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2,770En existencias
Más información disponible
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
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13En existencias
Min.: 1
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IGBT Modules Si Screw Mount Module
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
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3,000En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL
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78En existencias
50En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si

Renesas / Intersil Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
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1,290En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SOT-23 PNP
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 50A 10mohm TO-263 / D2PAK
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675En existencias
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Min.: 1
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel
Qorvo Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor
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98En existencias
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Mult.: 1
: 100

RF Bipolar Transistors GaN Si SMD/SMT QFN-20
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
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108En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
Hoja de datos
60En existencias
120En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Mitsubishi Electric Módulos IGBT Super Mini DIPIPM Version 6 6-PAC
Hoja de datos
270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
110,600En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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19,898En existencias
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: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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33,407En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
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30En existencias
Min.: 1
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IGBT Modules Si Screw Mount 62 mm
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
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5,568En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
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3,385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

JFETs Si Through Hole TO-92-3 P-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp
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3,150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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1,740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel