SD/SST210 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch 595En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 45 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch 103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch 70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch 135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 45 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel