IFN39 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 400
Mult.: 50

Si TO-71-6 N-Channel IFN39 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 400
Mult.: 50

Si TO-71-6 N-Channel IFN39 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 400
Mult.: 50

Si TO-71-6 N-Channel IFN39 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 400
Mult.: 50

Si TO-71-6 N-Channel IFN39 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 25V Low Noise
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 750
Mult.: 50

Si Through Hole TO-72-4 P-Channel Single - 10 V 25 V 9.5 V - 10 mA - 1 uA 300 mW IFN39 Bulk