CSD87355Q5D Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT
Hoja de datos
2,460En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 45 A 3.9 mOhms, 900 uOhms - 8 V, 10 V 1 V, 750 mV 10.5 nC, 24.3 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87355Q5D
Hoja de datos
194En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 45 A 3.9 mOhms - 8 V, 10 V 1.9 V 13.7 nC, 31.5 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel