CSD87333Q3D Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT
Hoja de datos
4,137En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 14.3 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3D
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 13.4 mOhms 950 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel