CSD18563Q5A Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT
Hoja de datos
10,199En existencias
7,500En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 116 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A
Hoja de datos
1,035En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 116 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel