CSD18509Q5B Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT
Hoja de datos
1,829En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 150 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
Hoja de datos
593En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 150 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel