CSD17577Q5A Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A
Hoja de datos
5,369En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 27 nC - 40 C + 85 C 53 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT
Hoja de datos
2,638En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel