2N43 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -50V Low Ciss
Hoja de datos
172En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 50 V - 3 V 3.6 mA 100 pA 1.5 kOhms 300 mW 2N43 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Noise
Hoja de datos
416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 50 V - 1.8 V 1.5 mA 100 pA 1.7 kOhms 300 mW 2N43 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -50V Low Ciss
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 50 V - 1 V 600 uA 100 pA 2.5 kOhms 300 mW 2N43 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -50V Low Ciss
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 50 V - 6 V 9 mA 100 pA 800 Ohms 300 mW 2N43 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Noise
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 20 V - 40 V - 3 V 30 mA 12 mA 100 Ohms 1.8 W 2N43 Bulk