4532 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N/P CHANNEL 30V 8,060En existencias
2,500En pedido
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 21 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.9 nC, 7.9 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 17,067En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 21 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.9 nC, 7.9 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N/P FET Enhancement Mode 2,645En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.9 A 53 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR 16,578En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.3 A, 6 A 47 mOhms, 89 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC, 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 21 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.9 nC, 7.9 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 450V 4A 2300mohm TO-252 / DPAK Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel