|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
- IPP60R190C6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.59
-
4,419En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
4,419En existencias
|
|
|
$3.59
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R041C6
- Infineon Technologies
-
1:
$14.01
-
647En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
647En existencias
|
|
|
$14.01
|
|
|
$10.46
|
|
|
$9.05
|
|
|
$8.56
|
|
|
$8.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R075CP
- Infineon Technologies
-
1:
$10.01
-
271En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
271En existencias
|
|
|
$10.01
|
|
|
$7.83
|
|
|
$6.53
|
|
|
$5.81
|
|
|
$5.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA17N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.89
-
2,289En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
2,289En existencias
|
|
|
$4.89
|
|
|
$3.24
|
|
|
$2.63
|
|
|
$2.22
|
|
|
$2.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD08N50C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.62
-
3,468En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
3,468En existencias
|
|
|
$2.62
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.921
|
|
|
$0.857
|
|
|
$0.815
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP11N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.50
-
2,040En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
2,040En existencias
|
|
|
$3.50
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.49
-
85,436En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
85,436En existencias
|
|
|
$1.49
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.623
|
|
|
$0.485
|
|
|
$0.438
|
|
|
$0.351
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R080P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.91
-
14,435En existencias
-
4,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
14,435En existencias
4,000En pedido
|
|
|
$4.91
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.23
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.24
-
3,978En existencias
-
3,998En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,978En existencias
3,998En pedido
|
|
|
$9.24
|
|
|
$6.33
|
|
|
$4.94
|
|
|
$4.89
|
|
|
$4.80
|
|
|
$4.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R017C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.55
-
1,544En existencias
-
950En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,544En existencias
950En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD60R180CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.60
-
1,235En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,235En existencias
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.907
|
|
|
$0.829
|
|
|
$0.765
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPDQ60R017S7AXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$15.20
-
319En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7AXTM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
319En existencias
|
|
|
$15.20
|
|
|
$12.38
|
|
|
$10.31
|
|
|
$9.19
|
|
|
$8.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPDQ65R040CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.87
-
76En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R040CFD7XT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
76En existencias
|
|
|
$9.87
|
|
|
$6.96
|
|
|
$5.80
|
|
|
$5.17
|
|
|
$4.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R180CM8XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.52
-
346En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
346En existencias
|
|
|
$2.52
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.895
|
|
|
$0.861
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPD60R1K4C6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.28
-
10,462En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K4C6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
10,462En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.325
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.36
-
2,836En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,836En existencias
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.828
|
|
|
$0.809
|
|
|
$0.756
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R080P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.91
-
2,323En existencias
-
1,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,323En existencias
1,500En pedido
|
|
|
$4.91
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.23
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R060C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.02
-
1,057En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,057En existencias
|
|
|
$8.02
|
|
|
$5.87
|
|
|
$4.31
|
|
|
$4.10
|
|
|
$3.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R060P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.35
-
1,684En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,684En existencias
|
|
|
$6.35
|
|
|
$4.25
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R080P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.68
-
1,531En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,531En existencias
|
|
|
$5.68
|
|
|
$3.70
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R099P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.86
-
1,245En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,245En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$4.86
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.49
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R120P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.11
-
6,345En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
6,345En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.69
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
- IPB60R160P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.00
-
4,037En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
|
|
4,037En existencias
|
|
|
$4.00
|
|
|
$2.62
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPB60R280P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.65
-
6,898En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
6,898En existencias
|
|
|
$2.65
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.785
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
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1:
$8.35
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702En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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702En existencias
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$8.35
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$6.69
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$5.41
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$4.95
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$4.25
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Min.: 1
Mult.: 1
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1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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