CoolMOS MOSFETs de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,315En existencias
750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 288 A 7 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 370 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3,241En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 142 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 171 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 135 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 171 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 65 A 37 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 79 nC - 55 C + 150 C 338 W Enhancement CoolMOS