Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
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87En existencias
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: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
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88En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
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: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L N-Channel
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
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77En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
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75En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263AB-2
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
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74En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
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893En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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8,959En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
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655En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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1,148En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
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2,003En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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408En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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686En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1,397En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1,256En existencias
150Se espera el 21/5/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
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3,347En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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1,540En existencias
75En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
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369En existencias
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IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
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262En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
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3,219En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
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563En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
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1,239En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
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766En existencias
660En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
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903En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
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341En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
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942En existencias
870Se espera el 3/11/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3