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TGA2622-SM

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Mouser N.º:

772-TGA2622-SM

Fabricante N.º:

TGA2622-SM

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

RF Amplifier 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB

Hoja de datos:

TGA2622-SM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	9 GHz to 10 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Corriente de suministro operativa:	290 mA
Ganancia:	32.7 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-22
Tecnología:	GaN SiC
P1dB: punto de compresión:	40 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	TGA2622
Empaquetado:	Waffle
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	TGA2622-SM EVB
Pérdida de retorno de entrada:	14.7 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º:	TGA2622 1132087

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.2.b.2

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Power Amplifiers

Qorvo GaN Power Amplifiers allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications. With these high-power amplifiers designed for military, commercial, satellite communications and radar systems, Qorvo offers GaN-based products meeting today's market needs and future requirements.

T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.