AS3001204-0108X0ISAY

Name: Avalanche Technology AS3001204-0108X0ISAY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-30012040108X0ISY
Price: 8.23 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

793-30012040108X0ISY

Fabricante N.º:

AS3001204-0108X0ISAY

Fabricante:

Avalanche Technology

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C

Hoja de datos:

AS3001204-0108X0ISAY Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Avalanche Technology
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Tipo de interfaz:	QSPI
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Organización:	128 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	10 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	23 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AS3001204
Empaquetado:	Tray
Marca:	Avalanche Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	300
Nombre comercial:	STT-MRAM, MRAM

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AS3001204-0108X0ISAY Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.