IMSQ120R012M2HHXUMA1

Infineon Technologies
726-IMSQ120R012M2HHX
IMSQ120R012M2HHXUMA1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
1.2 kV
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: 1200 V G2
Cantidad de empaque de fábrica: 750
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Alias de las piezas n.º: IMSQ120R012M2HH SP005873528
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage VGS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.