Nexperia MOSFETs de SiC

Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK 600En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 60 mOhms 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK 693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 122 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 190 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK 707En existencias
795En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- 720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L 716En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC SOT8107 1200V 36A N-CH 720En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 90 mOhms 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L 623En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 67 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L 770En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L 795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L 790En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement

Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L 331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 36A N-CH SIC 255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L 390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 66A N-CH SIC 227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L 15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement