|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
- SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.01
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT018HU65G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
|
$20.01
|
|
|
$16.03
|
|
|
$15.05
|
|
|
$12.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
60 A
|
29 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
82.5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
388 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
- SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
$12.76
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55 A
|
27 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
398 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
- SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.35
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019W120G3-4AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
|
$20.35
|
|
|
$16.96
|
|
|
$16.75
|
|
|
$14.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
90 A
|
26 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
4.2 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
486 W
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
- SCT020H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$18.44
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT020H120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
|
$18.44
|
|
|
$14.77
|
|
|
$12.77
|
|
|
$12.76
|
|
|
$11.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
- SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics
-
600:
$13.17
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
37 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
388 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
- SCT027TO65G3
- STMicroelectronics
-
1,800:
$8.48
-
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT027TO65G3
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
|
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
- SCT040W120G3
- STMicroelectronics
-
600:
$12.93
-
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
40 A
|
54 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
- SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
$5.79
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT070H120G3-7
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
223 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
$10.94
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
|
$10.94
|
|
|
$6.53
|
|
|
$5.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
236 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
- SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.15
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
|
$12.15
|
|
|
$9.89
|
|
|
$8.25
|
|
|
$6.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
- SCTHCT250N12G3AG
- STMicroelectronics
-
448:
$57.15
-
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTHCT250N12G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
|
Min.: 448
Mult.: 448
|
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
239 A
|
10.5 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.4 V
|
304 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
994 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
- SCTWA90N65G2V
- STMicroelectronics
-
600:
$20.00
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA90N65G2V
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
119 A
|
24 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
5 V
|
157 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
565 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
- SCT012HU90G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
$18.60
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT012HU90G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
STMicroelectronics SCT019H120G3AG
- SCT019H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
$10.75
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019H120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
- SCT040H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
$6.96
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3-7
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
- SCT040W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
$6.83
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
- SCT055H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
$5.00
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT055H65G3-7
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
- SCT055H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.62
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT055H65G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
|
$10.62
|
|
|
$7.36
|
|
|
$6.12
|
|
|
$5.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
