Linear L2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 30
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
510En existencias
740En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
Hoja de datos
26En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
3,780En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
Hoja de datos
685En existencias
1,098En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
Hoja de datos
1,100En existencias
2,880En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR
Hoja de datos
378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
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266En existencias
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Hoja de datos
224En existencias
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
Hoja de datos
123En existencias
1,525En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
Hoja de datos
641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 250V
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248En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 640 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 100V 64A N-CH LINEAR
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119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 80A
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22En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 250V
Hoja de datos
49En existencias
393En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 640 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 75V 80A
Hoja de datos
174En existencias
100En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
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15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Hoja de datos
1,175En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH LINEAR
Hoja de datos
50En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 355 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA15N50L2 TRL
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA64N10L2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA80N075L2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Reel