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OptiMOS T2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 29

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Serie = OptiMOS T2

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Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
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IPD90N06S405ATMA2

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726-IPD90N06S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
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IPD50N06S4L08ATMA2

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$1.08

$0.719

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Cinta cortada

$1.58

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$0.873

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$0.618

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
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IPB180N06S4H1ATMA2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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$4.75

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$2.01

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IPD90N06S4L03ATMA2

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726-IPD90N06S4L03ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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AEC-Q101

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IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.43
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N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S4L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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3,728En existencias

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$2.43

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD25N06S4L30ATMA2

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Envase tipo carrete

$0.328

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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1.7 V

16.3 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.74
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N.º de artículo del Fabricante
IPD90N06S404ATMA2

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726-IPD90N06S404ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,848En existencias

Cinta cortada

$2.74

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$0.886

Min.: 1
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: 2,500

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPG20N06S4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.34
10,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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10,000En existencias

Cinta cortada

$2.34

$1.50

$1.03

$0.818

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Envase tipo carrete

$0.744

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

11.2 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S405ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.71
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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274En existencias

Cinta cortada

$2.71

$1.75

$1.20

$0.961

Envase tipo carrete

$0.857

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2

IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.25
493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N06S4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N06S4L04ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2

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493En existencias

Cinta cortada

$3.25

$2.12

$1.47

$1.23

Envase tipo carrete

$1.12

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD30N06S4L23ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.26
3,781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N06S4L23ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S4L23ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

3,781En existencias

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$1.26

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$0.565

$0.455

Envase tipo carrete

$0.358

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.76
1,496En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

1,496En existencias

7,500En pedido

Cinta cortada

$1.76

$1.12

$0.744

$0.586

$0.536

Envase tipo carrete

$0.471

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S4L12ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.52
3,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S4L12ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L12ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

3,545En existencias

Cinta cortada

$1.52

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$0.498

$0.454

Envase tipo carrete

$0.385

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 20 V

1.7 V

40 nC

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50 W

Enhancement

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.29
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N.º de artículo del Fabricante
IPD90N06S4L05ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N06S4L05ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

1,544En existencias

Cinta cortada

$2.29

$1.47

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$0.737

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$0.679

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DPAK-3 (TO-252-3)

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110 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S4L06ATMA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD90N06S4L06ATMA2

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

1,962En existencias

Cinta cortada

$1.95

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$0.546

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DPAK-3 (TO-252-3)

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60 V

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- 16 V, 16 V

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Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPI80N06S407AKSA2
Infineon Technologies
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IPI80N06S407AKSA2

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726-IPI80N06S407AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

5En existencias

$2.52

$1.24

$1.12

$0.896

$0.862

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S407ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.89
2,679En existencias
NRND

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726-IPD90N06S407ATMA

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Cinta cortada

$1.89

$1.07

$0.756

$0.622

$0.581

Envase tipo carrete

$0.533

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N06S415ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.32
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IPG20N06S415ATMA2

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726-IPG20N06S415ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

261En existencias

Cinta cortada

$2.32

$1.49

$0.99

$0.799

Ver

Envase tipo carrete

$0.645

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N06S4L26ATMA1
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726-IPG20N06S4L26ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Hoja de datos

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$0.714

$0.584

$0.525

Envase tipo carrete

$0.502

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS T2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

1.7 mOhms
2.8 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
4.6 mOhms
5.1 mOhms
5.4 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.9 mOhms
7.1 mOhms
7.4 mOhms
7.8 mOhms
7.9 mOhms
9 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
13.7 mOhms
15.5 mOhms

15 nC
16.3 nC
20 nC
21 nC
29 nC
30 nC
39 nC
40 nC
41 nC
47 nC
53 nC
56 nC
64 nC
75 nC
81 nC
110 nC
128 nC
160 nC
170 nC
270 nC