OptiMOS 8 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
238En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC019N10NM8SCATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape