CSD25485F5 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5
Hoja de datos
377En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T
Hoja de datos
3,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 670
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel