8056 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,817En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 6 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 55V .21A
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 55 V 210 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 500 pC - 55 C + 150 C 364 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel