7357 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 109 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 21 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
3,760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 31.8A
Hoja de datos
501En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 31.8 A 20.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.62 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel