5111 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 40A 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9 mOhms, 9 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK963R3-60E/SOT404/D2PAK 2,408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.73 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 95 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK 48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 47 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 45 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 100V 1.4A 644En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 100 V 1.4 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 118A 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 118 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 42 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 38A
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 17 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 13.8 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel