5101 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSP225/SOT223/SC-73
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 250 V 225 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V - 65 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 250A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Si Reel