4503 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 2.5A N-Channel 20,707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,270
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SOT23 30V 2A 0.110R 2,124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Channel MOSFET Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N&P Ch Enh FET 30Vds 20Vgs 2.0W Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 28,000
Mult.: 28,000
: 28,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5 A, 6.5 A 30 mOhms, 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V, 1 V 5.2 nC, 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOP-8 No en existencias
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 10 A 10 mOhms, 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 13 nC, 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6 Plazo de entrega 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube