4501 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 3.2A N-Channel 142,066En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 80 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 2.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SOT23 20V 3.2A 80MO 1,076En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,420
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 80 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 2.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSP250/SOT223/SC-73
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10 nC - 65 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSP250/SOT223/SC-73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 10 nC - 65 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel