4402 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
12,383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.5 V 46.7 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
2,834En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.5 V 46.7 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si 30 V 70 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si 30 V 70 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC AEC-Q101 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2,427En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 76 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
5,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 14 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel