2912 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002AK/SOT23/TO-236AB
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 190 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 330 pC - 55 C + 150 C 325 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .19A
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 190 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 330 pC - 55 C + 150 C 325 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
WeEn Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSJM65R360/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 6,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement