2220 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L
Hoja de datos
3,010En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W
Hoja de datos
56En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET
Hoja de datos
8,101En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 17.4 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT
Hoja de datos
3,468En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT
Hoja de datos
2,910En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W
Hoja de datos
134En existencias
250En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 450 mV 24.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT
Hoja de datos
2,990En existencias
3,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 24.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 3.5A P-CHNL
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 95 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel