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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Serie = OptiMOS 7

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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OptiMOS

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Infineon Technologies
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OptiMOS

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OptiMOS

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IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
1: $1.18
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IAUCN04S7L037HATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N040HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040HAT

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Infineon Technologies

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$2.03

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$0.577

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PG-TDSON-8

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40 V

82 A

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3 V

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM

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PG-TDSON-8

N-Channel

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40 V

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16 V

1.8 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.33
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM

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Infineon Technologies

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702En existencias

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

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97 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
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2,938En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN08S7L177ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

$1.30

$0.818

$0.54

$0.43

Envase tipo carrete

$0.325

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

17.7 mOhms

16 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: $2.16
279En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Cinta cortada

$2.16

$1.38

$0.93

$0.713

$0.64

Envase tipo carrete

$0.639

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.15 mOhms

20 V

3.15 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: $1.65
2,804En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Hoja de datos

2,804En existencias

Cinta cortada

$1.65

$1.06

$0.697

$0.547

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Envase tipo carrete

$0.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

1.49 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L053DATMA1
Infineon Technologies
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4,277En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L053DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L053DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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4,277En existencias

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Cinta cortada

$1.90

$1.21

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$0.639

$0.538

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N019DATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N019DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N019DAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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7,482En existencias

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
420 uOhms
480 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
570 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
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1.04 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms

7.5 nC
9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
17.2 nC
18 nC
22 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
34 nC
35.2 nC

39 W
40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
94 W
96 W
98 W
107 W
115 W
118 W
123 W
130 W