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STMicroelectronics MDmesh M9 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Serie = MDmesh M9

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: $8.22
288En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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Hoja de datos

288En existencias

$8.22

$5.98

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

35 mOhms

30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH65N050DM9-7AG
STMicroelectronics
1: $9.00
896En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STH65N050DM9-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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896En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

$9.00

$6.17

$4.91

Envase tipo carrete

$4.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 50 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N045M9
STMicroelectronics
1: $8.08
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

415En existencias

$8.08

$4.49

$4.13

$4.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: $17.23
522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

522En existencias

$17.23

$10.85

$10.84

$10.83

$9.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: $9.73
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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580En existencias

$9.73

$5.81

$5.80

$5.23

$4.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N023M9
STMicroelectronics
1: $14.64
349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N023M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

349En existencias

$14.64

$8.95

$8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

95 A

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N045M9
STMicroelectronics
1: $9.53
1,195En existencias
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,195En existencias

1,200En pedido

$9.53

$5.62

$4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

STD65N160M9
STMicroelectronics
1: $3.65
770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD65N160M9

N.º de artículo de Mouser
511-STD65N160M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

770En existencias

Cinta cortada

$3.65

$2.39

$1.68

$1.47

$1.41

Envase tipo carrete

$1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N150M9
STMicroelectronics
1: $4.65
101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N150M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N150M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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101En existencias

$4.65

$2.58

$2.21

$1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU65N050DM9AG
STMicroelectronics
1: $9.48
91En existencias
600En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU65N050DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU65N050DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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91En existencias

600En pedido

Cinta cortada

$9.48

$6.51

$5.25

Envase tipo carrete

$4.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU60N046DM9AG
STMicroelectronics
1: $9.05
600Se espera el 27/4/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU60N046DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU60N046DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

600Se espera el 27/4/2026

Cinta cortada

$9.05

$6.20

$4.95

Envase tipo carrete

$4.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

600 V

54 A

46 mOhms

30 V

4.5 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N030M9
STMicroelectronics
1: $12.71
1,800En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO60N030M9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N030M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Hoja de datos

1,800En pedido

Cinta cortada

$12.71

$9.18

$7.95

$7.71

$7.20

Envase tipo carrete

$7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

Reel, Cut Tape

STMicroelectronics MDmesh M9 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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