Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-223-3L MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 60 V 5 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-251 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,600
Mult.: 800

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 49 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 49 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-251 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,600
Mult.: 800

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 49 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 49 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-251 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,600
Mult.: 800

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 9,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 9,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-223-3L MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 60 V 5 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 7,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 4 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1

Si Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PNP Plastic Power Transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Si Bulk
Rectron 2N7002K
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,SOT-23
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 21,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 3 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel
Rectron RM13P40S8-T
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOP-8
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 13 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel
Rectron RM20N60S8-T
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8 MOSFET No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel Enhancement Reel
Rectron RM21N650T1
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220F MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Tube
Rectron RM21N650T2
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Tube