Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,980En existencias
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: 4,000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 4 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 820 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 6,615En existencias
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: 8,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,959En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 5,130En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.3 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,685En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 4 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 820 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,220En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-3 1 Channel - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm Super Junction Easy versio 1,937En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1,950En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1,988En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,103En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 33 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET 790En existencias
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: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET 1,792En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 111 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 733En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 5,685En existencias
6,000En pedido
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: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 980En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 2,488En existencias
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: 6,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 824En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 990En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1,970En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 7,779En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 2,820En existencias
Min.: 1
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: 6,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 47.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 794En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 9,264En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio 1,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 580 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube