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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Marca = STMicroelectronics

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

STW13NK100Z
STMicroelectronics
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STW13NK100Z

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511-STW13NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

13 A

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- 30 V, 30 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

350 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
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STW40N95DK5

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511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

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$15.28

$9.36

$9.14

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

38 A

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- 30 V, 30 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

STW48NM60N
STMicroelectronics
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STW48NM60N

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511-STW48NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

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TO-247-3

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1 Channel

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39 A

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- 25 V, 25 V

2 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
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STW57N65M5

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511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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$5.43

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N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

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- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: $6.93
574En existencias

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STW7N95K3

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511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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574En existencias

$6.93

$3.88

$3.24

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

STWA20N95K5
STMicroelectronics
1: $7.49
623En existencias

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STWA20N95K5

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511-STWA20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

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623En existencias

$7.49

$4.58

$3.67

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
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STWA75N60M6

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511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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492En existencias

$10.39

$6.26

$5.64

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

STY105NM50N
STMicroelectronics
1: $25.10
186En existencias

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STY105NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

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186En existencias

$25.10

$17.25

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Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

88 A

22 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

326 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

STH180N10F3-2
STMicroelectronics
1: $5.32
1,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH180N10F3-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH180N10F3-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

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Cinta cortada

$5.32

$3.38

$2.54

$2.44

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$2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

114.6 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

STB36NF06LT4
STMicroelectronics
1: $2.12
1,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB36NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

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Cinta cortada

$2.12

$1.36

$0.917

$0.731

Envase tipo carrete

$0.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

40 mOhms

- 18 V, 18 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STP80NF55-06
STMicroelectronics
1: $2.78
1,473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF55-06

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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$2.78

$1.38

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$1.05

$0.943

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1: $3.97
537En existencias
NRND

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STP11NM60FDFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

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537En existencias

$3.97

$2.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: $2.84
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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$2.84

$1.83

$1.31

$1.08

$0.948

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: $0.98
823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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823En existencias

Cinta cortada

$0.98

$0.611

$0.398

$0.307

$0.271

Envase tipo carrete

$0.233

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: $3.38
204En existencias

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STB12N60DM2AG

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511-STB12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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204En existencias

Cinta cortada

$3.38

$2.20

$1.69

$1.41

Envase tipo carrete

$1.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

430 mOhms

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: $1.61
45En existencias

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STU6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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$0.835

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.35 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

STL10LN80K5
STMicroelectronics
1: $4.01
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-VHV-8

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1: $2.16
579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL64DN4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL64DN4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

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579En existencias

Cinta cortada

$2.16

$1.39

$0.957

$0.811

$0.678

Envase tipo carrete

$0.645

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Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1: $2.00
2,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52DN4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

$2.00

$1.12

$0.915

$0.848

$0.772

Envase tipo carrete

$0.479

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

2 Channel

40 V

18 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: $2.43
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1,075En existencias

Cinta cortada

$2.43

$1.57

$1.07

$0.868

Envase tipo carrete

$0.785

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.5 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: $1.74
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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2,222En existencias

Cinta cortada

$1.74

$0.947

$0.695

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$0.492

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

1.8 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: $1.99
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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2,265En existencias

Cinta cortada

$1.99

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$0.581

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

1.06 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

STD95P3LLH6AG
STMicroelectronics
1: $2.43
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STD95P3LLH6AG

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511-STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

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Cinta cortada

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$1.57

$1.07

$0.855

$0.818

Envase tipo carrete

$0.786

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

9.7 mOhms

- 18 V, 18 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
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STF26N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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$1.72

$1.55

$1.26

$1.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
1: $2.18
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STFH24N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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$1.40

$1.27

$1.16

$1.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

168 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W